钰途教育开设电子产品中的材料和器件及其科学原理科研课程，在整个课程中，您将能够应用您所学到的内容，通过执行能源审计来分析电力消耗，识别小型系统的基本系统组件，为小型系统设计建立预算，并创建一个设计来实现一个小型系统。

项目安排

  课时安排：5周教授亲授科研+2周学导小组科研+3周论文指导

适合人群

  适合年级：高中生/大学生

  适合专业：电气工程，材料科学，相关专业

  对能量储存、超级电容器，电子材料器件、纳米材料，电子感知，微波，静电纺丝，纳米复合材料及沉积方法等感兴趣的同学

  有意提高自身知识水平和学术能力的你

  有留学意向、参与自主招生选拔、跨专业深造或计划考取名校的你

  希望提升留学文书申请质量，锻炼英文论文撰写能力的你

  希望在学术期刊上发表论文来提升个人竞争力的你

  对海外名校课堂感兴趣或者已收到海外大学录取信，想提前跨越中外学制鸿沟的你

科研背景

  电子设备是指由集成电路、晶体管、电子管等电子元器件组成，应用电子技术（*括）软件发挥作用的设备，*括电子计算机以及由电子计算机控制的机器人、数控或程控系统等。电子设备与现代人类的生活息息相关。

科研论文

  在教授的引导下，学生们将进行学术研究以及探讨，并结合课程内容完成一篇科研论文或其他教授要求的科研产出。科研产出的形式（小组形式或个人形式）由教授全程把关。

科研计划

  Session 1

  p-n结二极管：基本器件技术、耗尽区、电流-电压特性、结击穿、瞬态行为和噪声、终端功能、异质结。

  双极晶体管：静态特性、微波晶体管、功率晶体管、开关晶体管、相关器件结构。

  Session 2

  晶闸管：基本特性、肖克利二极管和三端晶闸管、相关功率晶闸管、双向可控硅和双向可控硅、单结三极管和触发晶闸管、场控晶闸管。

  金属-半导体接触：能带关系、肖特基效应、电流传输过程、势垒高度表征、器件结构、欧姆接触。

  Session 3

  金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）：基本器件特性、非均匀掺杂和埋沟道器件、短沟道效应、MOSFET结构、非易失性存储器件。

  隧道器件：隧道二极管、反向二极管、MIS隧道二极管、MIS开关二极管、MIM隧道二极管、隧道晶体管。

  Session 4

  IMPATT和相关的渡越时间二极管：静态特性、动态特性、功率和效率、噪声行为、器件设计和性能、BARITT和DOVETT二极管、TRAPATT二极管。

  转移电子器件：转移电子效应、*模式、器件性能。